国产EUV光源系统样机亮相:国产化率达90%!(国产EUV光源最新研发进展) szthrk.cn

10月14日消息,在近日举行的第二十六届中国国际工业博览会上,朗道燧岩(上海)科技有限公司(简称“朗道燧岩”)首次公开展示了一台极紫外(EUV)光源系统样机。这是目前公开可见的国产进度最靠前的EUV光源样机,被业界视为高端光刻机的“心脏”。

△图片来源:上观新闻

据现场工作人员透露,该光源系统国产化率达90%,绝大多数核心零部件为自主研发,技术路线与国际领先厂商一致,可用于芯片曝光测试。

EUV光源样机技术参数披露

众所周知,7nm及以下先进制程芯片制造需要依赖EUV光刻机,而EUV光源则是EUV光刻机的三大核心零部件之一。长期以来,受海外技术垄断与禁运限制影响,EUV光刻机及核心的EUV光源是制约中国高端芯片自主可控的关键环节。朗道燧岩此次展出的光源样机,标志着国产EUV光源从实验室走向产业化的关键一步。

根据朗道燧岩官网公布的技术参数显示,其低功率EUV光源系统FlintNano LPP-OXXO的驱动激光功率为1000W,激光频率1至20kHz,转换效率大于2%,亮度达100W/mm²sr,EUV能量大于15W,持续工作时间超过100小时。该系统等离子体尺寸为60μm,等离子体稳定性为3% RMS,能量稳定性为5%。

据朗道燧岩介绍,其高功率极紫外光源系统FlintMicro-LPP系列已完成原理论证,低功率FlintNano-LPP系列则已进入产品化阶段。

从清华实验室走出的创业公司

朗道燧岩成立于2024年,创始人王豪博士团队以清华大学气体放电等离子体实验室的研发成果为基础,聚焦激光诱导等离子体(LPP)EUV光刻光源技术。公司官网介绍,其核心业务是研发、生产和销售用于半导体光刻技术的高功率LPP-EUV光源,该光源对于制造最先进半导体芯片以及EUV生态系统(如光刻胶和掩膜检测设备)的发展至关重要。

在资本层面,朗道燧岩于2025年10月获得张江高科旗下燧玥创投的天使轮融资,累计融资额超千万元,并入驻上海集成电路设计产业园。此后,公司于2026年1月完成天使+轮融资,2026年7月完成A轮融资,投资方包括沃衍资本、中芯聚源等产业资本。

目前公司拥有燧岩、辉光、天算三大核心业务板块:燧岩聚焦EUV光源系统,辉光专注于大功率二氧化碳轴快流激光器,天算则致力于等离子体仿真软件。公司在招聘信息中表示,其在研的高功率短脉冲CO2激光器和等离子体工业仿真软件,“两者的发展和成熟对于未来高功率、强稳定性和长寿命的LPP-EUV光源具有里程碑意义”。

距离量产仍需跨越功率与稳定性门槛

尽管朗道燧岩此次EUV光源样机首秀具有标志性意义,但现场工作人员坦言,该光源系统距离量产仍需3至5年时间。当前面临的核心挑战在于提升输出功率和长期运行稳定性。

商用EUV光刻系统要求光源功率达到数百瓦级别,并能在长时间运行中保持高度可靠。比如,ASML的EUV光源系统自2018年推出250W版本以来,已实现批量生产应用,目前正在向更高的1000W功率等级演进。

朗道燧岩于工博会现场展示的样机目前验证了技术路线的可行性,但距离工业级应用所需的产品成熟度仍有明显差距。从15W级别的EUV能量输出到数百瓦量级的量产要求,朗道燧岩需要跨越的不仅是功率的倍数级提升,更包括等离子体稳定性、光源寿命和系统集成可靠性的全面突破。

从行业视角看,LPP-EUV光源的技术难点集中于高功率CO2驱动激光器、稳定的锡液滴发生器以及长寿命收集镜等关键子系统。朗道燧岩将CO2激光器和等离子体仿真软件作为独立业务板块发展,正是针对这些底层技术瓶颈的布局。

对于中国半导体产业而言,国产EUV光源的进展直接关系到先进制程的自主可控进程。朗道燧岩的样机首秀提供了一个观察窗口:技术路线已经走通,但从“能做出来”到“能用起来”,仍有漫长的工程化道路需要跋涉。

编辑:芯智讯-浪客剑